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院士:國內集成電路光刻技術落后國外15-20年

時間:2019-09-17 15:26:31  來源:集微網

集微網消息(文/Oliver),9月17日,2019中國集成電路設計大會在青島市嶗山區正式召開, 中科院院士劉明在演講中指出,國內的光刻技術與國外技術差距仍為15~20年,是集成電路領域中差距最大的環節。

劉明談到了國內集成電路的幾項基礎技術。關于光刻膠技術,劉明表示,我國在EUV光源、多層膜、掩膜、光刻膠、超光滑拋光技術等方面取得了一些研究進展。但總的來說,國內的光刻技術與國外技術差距仍為15~20年,是集成電路領域中差距最大的環節。

在邏輯器件方面,劉明指出,國內在低功耗新原理邏輯器件的機理、模型、材料、結構和集成技術上開展了前瞻性研究。國內優勢企業、高校和研究所在硅基邏輯器件的成套先導技術上開展了系統研究,為產業發展提供了技術知識產權的幫助。

另外,劉明還表示,中國在新型存儲器前沿和關鍵技術等方面均開展了系統研究;學術界與產業界合作緊密,開發了RRAM、PRAM和MRAM的大規模集成工藝。

最后,劉明強調,IC的快速發展是信息化的核心和基礎,器件持續微縮的More than Moore路線,我國很難實現超越,但這是創新的基礎,必須夯實,沒有彎道可走。(校對/holly)

(原標題:中科院:光刻技術是國內外集成電路領域差距最大的環節)

(責任編輯:王鳳枝_NT2541)


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